Транзистор – это электронный прибор, который широко используется в электронных устройствах как ключ или усилитель. В основе работы транзистора лежит эмиттерный переход, который образуется между полупроводниковыми материалами разного типа, p- и n-типов. Структура p-n-p транзистора состоит из трех слоев полупроводниковых материалов: первый слой – p-тип, второй – n-тип и третий – p-тип. В этой структуре эмиттерный переход образуется между вторым и третьим слоями. Транзисторы с параметрами обращённого диода эмиттерного перехода структуры p-n-p не существуют, так как при обращении направления диода в данной структуре, образуется дополнительная p-n-ступень, которая вытесняет основную n- структуру, что в свою очередь затрудняет работу транзистора. При обращении направления диода в структуре p-n-p возникает ряд проблем. Дополнительная p-n-ступень образуется на границе между вторым и третьим слоями, что приводит к затруднению работы транзистора. Основная n-структура при этом вытесняется или даже может быть разрушена. Помимо этого, при обращении направления диода уменьшается ток прохождения и уменьшается коэффициент усиления. На практике для получения эффективной работы транзистора используются структуры n-p-n и n-m-p, где обращение направления диода не вызывает вышеперечисленных проблем. В этих структурах эмиттерный переход расположен между первым и вторым слоями, а не между вторым и третьим, и ток прохождения увеличивается при подаче напряжения на базу транзистора. Таким образом, транзисторы с параметрами обращённого диода эмиттерного перехода структуры p-n-p не существуют, так как при обращении направления диода структура теряет свою эффективность и может быть разрушена. Вместо этого используются структуры n-p-n и n-m-p, которые могут работать в обоих направлениях.