Существуют транзисторы с высоким коэффициентом усиления, который измеряется как бета (β), и одновременно с низкой крутизной характеристики эмиттерного перехода, которая измеряется как gм (горизонтальная проводимость транзистора). Коэффициент усиления транзистора определяет, насколько сигнал на базе усиливается при прохождении через транзистор, в то время как крутизна характеризует изменение тока коллектора в зависимости от изменения напряжения базы. Один из примеров таких транзисторов - bipolars junction transistors (BJT) с высоким коэффициентом усиления и низкой крутизной. Например, транзисторы серии BC546 имеют высокий коэффициент усиления (от 110 до 800) и низкую крутизну (от 30 до 200 мА/В). Эти транзисторы часто используются в усилительных схемах и других приложениях, где требуется хорошее усиление при низкой крутизне. Однако, стоит отметить, что коэффициент усиления и крутизна в транзисторах часто являются взаимозависимыми параметрами. Обычно транзисторы с высоким коэффициентом усиления имеют также высокую крутизну. Таким образом, найти транзистор с максимальным коэффициентом усиления, но с минимальной крутизной сложно. При выборе транзистора для конкретного приложения, необходимо найти баланс между желаемыми значениями коэффициента усиления и крутизны. Некоторые приложения, требующие высокой линейности и высокого коэффициента усиления, могут компенсировать более высоким значением крутизны. В то же время, другие приложения могут требовать низкой крутизны для уменьшения эффекта перекачки. В целом, выбор транзистора с высоким коэффициентом усиления и низкой крутизной зависит от конкретных требований приложения. Важно учитывать эти параметры, чтобы достичь оптимальной производительности и надежности системы.